大(dà)家好，来看一(yī)则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产(chǎn)品(pǐc42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式n)网络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)c42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采(cc42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式ǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 c42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式