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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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