大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华初一地理口诀顺口溜，怎样分东西半球最简单的方法(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询初一地理口诀顺口溜，怎样分东西半球最简单的方法机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、初一地理口诀顺口溜，怎样分东西半球最简单的方法美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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