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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务妙哉妙哉是什么意思，奇哉妙哉是什么意思进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。20妙哉妙哉是什么意思，奇哉妙哉是什么意思22年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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