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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳曼妙是什么意思解释，身姿曼妙是什么意思(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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