大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波扶大厦之将倾全诗解释，扶大厦之将倾 挽狂澜于既倒原文龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND F扶大厦之将倾全诗解释，扶大厦之将倾 挽狂澜于既倒原文-height: 24px;'>扶大厦之将倾全诗解释，扶大厦之将倾 挽狂澜于既倒原文lash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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