大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(没有港口是永远的停留的寓意是什么 集装箱到港口可以停留多长时间guāng)公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(没有港口是永远的停留的寓意是什么 集装箱到港口可以停留多长时间yào)遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供没有港口是永远的停留的寓意是什么 集装箱到港口可以停留多长时间应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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