大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网萍乡市是哪个省，萍乡市是哪个省的城市络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.3萍乡市是哪个省，萍乡市是哪个省的城市5％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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