大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(循序渐进是什么意思解释，女生说循序渐进是什么意思zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(gu循序渐进是什么意思解释，女生说循序渐进是什么意思ó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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