大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。<kono洗发水是什么牌子，kono洗发水有几款/p>

　　3月31日，kono洗发水是什么牌子，kono洗发水有几款中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(kono洗发水是什么牌子，kono洗发水有几款xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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