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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021雍正在位多少年？寿命多少岁呢，雍正在位时多少岁 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金雍正在位多少年？寿命多少岁呢，雍正在位时多少岁额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星雍正在位多少年？寿命多少岁呢，雍正在位时多少岁(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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