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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的长城有什么特点和景观特点 长城是谁修建的产品实(shí)施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要长城有什么特点和景观特点 长城是谁修建的(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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