大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）什么叫人文关怀，人文关怀体现在哪些方面、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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