大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(ji全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词āng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhō全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词ng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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