大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng危楼高百尺的危是什么意思，危楼高百尺的危是什么意思是危险还是高)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiā危楼高百尺的危是什么意思，危楼高百尺的危是什么意思是危险还是高ng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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