大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙府试院试乡试会试殿试顺序，院试乡试会试殿试顺序记忆口诀头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比府试院试乡试会试殿试顺序，院试乡试会试殿试顺序记忆口诀(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 府试院试乡试会试殿试顺序，院试乡试会试殿试顺序记忆口诀SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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