大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业戊时是几点，戊时是几点到几点钟的时龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)戊时是几点，戊时是几点到几点钟的时力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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