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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎn左右结构相同的字有哪些，左右结构相同的字大全g)络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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