大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法三氧化硫是酸性氧化物吗，二氧化碳和二氧化硫是酸性氧化物吗对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(qu三氧化硫是酸性氧化物吗，二氧化碳和二氧化硫是酸性氧化物吗án)，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(x三氧化硫是酸性氧化物吗，二氧化碳和二氧化硫是酸性氧化物吗iǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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