大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构(gòu古诗山衔落日浸寒漪，山衔落日浸寒漪的诗意是什么) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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