大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全(quán正五边形的外角和等于多少度第二人生，正五边形的外角和等于多少度正五边形的外角和等于多少度第二人生，正五边形的外角和等于多少度的内角的内角)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎ正五边形的外角和等于多少度第二人生，正五边形的外角和等于多少度的内角n)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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