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1km等于多少米 1km是不是1公里

1km等于多少米 1km是不是1公里 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

  据网信办消息(xī),日(rì)前,网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

  审查发(fā)现,美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险,影响我国国家安(ān)全。为此,网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规,我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

  1km等于多少米 1km是不是1公里此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán),是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求,欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日(rì),中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称,为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn),维(wéi)护国家安全(quán),依据《中华人民共(g1km等于多少米 1km是不是1公里òng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》,网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī),2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57%降(jiàng)至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约(yuē),确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势(shì),公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美(měi)光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或1km等于多少米 1km是不是1公里者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露,薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān),设备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份额提(tí)升,以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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