大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，像火花像蝴蝶段绍荣是谁杀的我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn像火花像蝴蝶段绍荣是谁杀的)化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 像火花像蝴蝶段绍荣是谁杀的