大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。说唱歌手bp，说唱b7是什么意思

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片说唱歌手bp，说唱b7是什么意思(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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