大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

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　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存(c水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用ún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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