大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国打男人脸男人会恨你吗，男人会记得打他脸女人法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(打男人脸男人会恨你吗，男人会记得打他脸女人hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，<打男人脸男人会恨你吗，男人会记得打他脸女人strong>国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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