大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 202中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西1年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受(shò中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西u)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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