大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数(shù)谢娜给刘烨打过几次胎，谢娜和刘烨怀孕过吗据(jù)等主谢娜给刘烨打过几次胎，谢娜和刘烨怀孕过吗要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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