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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全青金石的五行属性，青金石的五行属性是什么审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(青金石的五行属性，青金石的五行属性是什么xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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