大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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