大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公早晨的太阳叫什么，早晨的太阳叫什么雅称室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）早晨的太阳叫什么，早晨的太阳叫什么雅称统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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