大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(魏承泽作品集 魏承泽一类的作者tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn魏承泽作品集 魏承泽一类的作者)题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zh魏承泽作品集 魏承泽一类的作者ōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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