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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，tan1等于多少，tan1等于多少兀g>美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　tan1等于多少，tan1等于多少兀lt="半导体(tǐ)突(tū)发(fā)！中国(guó)出手：停止采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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