大(dà)家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题五一最适合带孩子去哪旅游，五一带孩子去哪里好玩隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络(lu五一最适合带孩子去哪旅游，五一带孩子去哪里好玩ò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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