大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网机要邮寄档案怎么查询进度，机要邮寄档案怎么查询信息络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、机要邮寄档案怎么查询进度，机要邮寄档案怎么查询信息长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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