大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查仲尼适楚,出于林中,见佝偻者承蜩,犹掇之也翻译，仲尼适楚,出于林中,见佝偻者承蜩,犹掇之也议论文。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广仲尼适楚,出于林中,见佝偻者承蜩,犹掇之也翻译，仲尼适楚,出于林中,见佝偻者承蜩,犹掇之也议论文泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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