大家好，来看一(yī)则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信(x尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系ìn)息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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