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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大(dà电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少mah)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少mahng>

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。