大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施(shī)风采风彩两个词的区别是什么，风采风彩两个词的区别在哪安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xī风采风彩两个词的区别是什么，风采风彩两个词的区别在哪n)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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