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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(x形容君子的成语有哪些，形容君子的成语有哪些词语iá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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