大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为修行靠个人的上一句是什么意思，修行靠个人下一句此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yín修行靠个人的上一句是什么意思，修行靠个人下一句g)各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(修行靠个人的上一句是什么意思，修行靠个人下一句chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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