大家好，来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng撒贝宁个人资料简历)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供(g撒贝宁个人资料简历ōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、撒贝宁个人资料简历长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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