大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大(数字大写金额正确写法是什么意思，数字金额大写规范注意dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存数字大写金额正确写法是什么意思，数字金额大写规范注意(cún)储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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