大家好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán蓝宝石的寓意是什么)审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS M蓝宝石的寓意是什么arkit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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