大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎ姜子牙活了多少岁ng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì姜子牙活了多少岁)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者姜子牙活了多少岁应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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