大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》回族女人为什么离婚少等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

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　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.回族女人为什么离婚少85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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