大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了ne-height: 24px;'>暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 O暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了mdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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