大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放a的负一次方是多少矩阵，a的负一次方是多少线性代数(fàng)，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)a的负一次方是多少矩阵，a的负一次方是多少线性代数络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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