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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(qu发小是男的还是女的啊 发小是指什么关系án)法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电发小是男的还是女的啊 发小是指什么关系子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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