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感应电流公式3个公式推导,感应电流公式3个公式图解 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息(xī)。

  美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

  据网信(xìn)办消息,日前,网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

  审(shěn)查发(fā)现,美(měi)光公(gōng)司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn),影响我国(guó感应电流公式3个公式推导,感应电流公式3个公式图解)国家(jiā)安全。为此(cǐ),网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī),我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

  此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查,目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安全,是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月(yuè)31日,中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称(chēng),为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

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  美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头,也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额(é)约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

  美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降(jiàng),至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(感应电流公式3个公式推导,感应电流公式3个公式图解yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性,巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势,公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

  有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析,如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制,或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的(de)深孔,未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露,薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75%。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān),设(shè)备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额(é)提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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